GB10SLT12-252

GeneSiC Semiconductor

Prodotto No:

GB10SLT12-252

Produttore:

Pacchetto:

TO-252

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252

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Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	520pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Supplier Device Package	TO-252
Current - Reverse Leakage @ Vr	250 µA @ 1200 V
Series	-
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	2 V @ 10 A
Mfr	GeneSiC Semiconductor
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1200 V
Package	Tube
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)	10A
Base Product Number	GB10SLT12