GT10N10

Goford Semiconductor

Prodotto No:

GT10N10

Produttore:

Pacchetto:

TO-252

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2.

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	206 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.3 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	GT
Power Dissipation (Max)	17W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)