GT110N06S

Goford Semiconductor

Prodotto No:

GT110N06S

Produttore:

Pacchetto:

8-SOP

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package	8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	3W (Tc)
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	14A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)