HER308G

Taiwan Semiconductor Corporation

Prodotto No:

HER308G

Produttore:

Pacchetto:

DO-201AD

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Descrizione:

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

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Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	75 ns
Capacitance @ Vr, F	35pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	DO-201AD
Current - Reverse Leakage @ Vr	10 µA @ 1000 V
Series	-
Package / Case	DO-201AD, Axial
Technology	Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 3 A
Mfr	Taiwan Semiconductor Corporation
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1000 V
Package	Cut Tape (CT)
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io)	3A
Base Product Number	HER308