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HGTD7N60C3S9A

Fairchild Semiconductor

Prodotto No:

HGTD7N60C3S9A

Pacchetto:

TO-252, (D-Pak)

Batch:

-

Scheda tecnica:

-

Descrizione:

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

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Informazioni sul prodotto

Info parametro

Guida per l'utente

Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Test Condition -
Input Type Standard
Switching Energy 165µJ (on), 600µJ (off)
Current - Collector (Ic) (Max) 14 A
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Current - Collector Pulsed (Icm) 56 A
Series -
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge 23 nC
Power - Max 60 W
Mfr Fairchild Semiconductor
Package Bulk
IGBT Type -