HGTP12N60C3D

Fairchild Semiconductor

Prodotto No:

HGTP12N60C3D

Produttore:

Pacchetto:

TO-220-3

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : Si prega di richiesta

Si prega di inviare RdO, risponderemo immediatamente.

Nome del contatto

E-mail

Nome della società

Paese

Quantità

Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Test Condition	-
Input Type	Standard
Reverse Recovery Time (trr)	40 ns
Switching Energy	380µJ (on), 900µJ (off)
Current - Collector (Ic) (Max)	24 A
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V
Td (on/off) @ 25°C	-
Supplier Device Package	TO-220-3
Current - Collector Pulsed (Icm)	96 A
Series	-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 15A
Package / Case	TO-220-3
Gate Charge	48 nC
Power - Max	104 W
Mfr	Fairchild Semiconductor
Package	Bulk
IGBT Type	-