HGTP7N60A4

Fairchild Semiconductor

Prodotto No:

HGTP7N60A4

Produttore:

Pacchetto:

TO-220-3

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : Si prega di richiesta

Si prega di inviare RdO, risponderemo immediatamente.

Nome del contatto

E-mail

Nome della società

Paese

Quantità

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Test Condition	390V, 7A, 25Ohm, 15V
Input Type	Standard
Switching Energy	55µJ (on), 60µJ (off)
Current - Collector (Ic) (Max)	34 A
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V
Td (on/off) @ 25°C	11ns/100ns
Supplier Device Package	TO-220-3
Current - Collector Pulsed (Icm)	56 A
Series	-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 7A
Package / Case	TO-220-3
Gate Charge	37 nC
Power - Max	125 W
Mfr	Fairchild Semiconductor
Package	Bulk
IGBT Type	-