IDH04G65C5XKSA2

Infineon Technologies

Prodotto No:

IDH04G65C5XKSA2

Produttore:

Pacchetto:

PG-TO220-2-1

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Scheda tecnica:

Descrizione:

DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-1

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Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	130pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	PG-TO220-2-1
Current - Reverse Leakage @ Vr	70 µA @ 650 V
Series	CoolSiC™+
Package / Case	TO-220-2
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 4 A
Mfr	Infineon Technologies
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Tube
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)	4A
Base Product Number	IDH04G65