IDH09G65C5XKSA2

Infineon Technologies

Prodotto No:

IDH09G65C5XKSA2

Produttore:

Pacchetto:

PG-TO220-2-1

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-1

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : Si prega di richiesta

Si prega di inviare RdO, risponderemo immediatamente.

Nome del contatto

E-mail

Nome della società

Paese

Quantità

Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	270pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Not For New Designs
Supplier Device Package	PG-TO220-2-1
Current - Reverse Leakage @ Vr	160 µA @ 650 V
Series	CoolSiC™+
Package / Case	TO-220-2
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 9 A
Mfr	Infineon Technologies
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Tube
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)	9A
Base Product Number	IDH09G65