IDH12G65C5XKSA2

Infineon Technologies

Prodotto No:

IDH12G65C5XKSA2

Produttore:

Pacchetto:

PG-TO220-2-1

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-1

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 116

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	360pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	PG-TO220-2-1
Current - Reverse Leakage @ Vr	190 µA @ 650 V
Series	CoolSiC™+
Package / Case	TO-220-2
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 12 A
Mfr	Infineon Technologies
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Tube
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)	12A
Base Product Number	IDH12G65