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IPG20N04S409AATMA1

Infineon Technologies

Prodotto No:

IPG20N04S409AATMA1

Pacchetto:

PG-TDSON-8-4

Batch:

-

Scheda tecnica:

-

Descrizione:

N-CHANNEL POWER MOSFET

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Informazioni sul prodotto

Info parametro

Guida per l'utente

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 22µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package / Case 8-PowerVDFN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 54W (Tc)
Mfr Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Package Bulk
Base Product Number IPG20N