IRF453

Harris Corporation

Prodotto No:

IRF453

Produttore:

Pacchetto:

TO-3

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

N-CHANNEL POWER MOSFET

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Quantità

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500mOhm @ 7.2A, 10V
Supplier Device Package	TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	450 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Package / Case	TO-204AA, TO-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Harris Corporation
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.2A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk