IRF614BFP001

Fairchild Semiconductor

Prodotto No:

IRF614BFP001

Produttore:

Pacchetto:

TO-220F-3

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 250V 2.8A TO220F-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	275 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 1.4A, 10V
Supplier Device Package	TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	40W (Tc)
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.8A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Package	Bulk