IRF7832PBF

International Rectifier

Prodotto No:

IRF7832PBF

Produttore:

Pacchetto:

8-SO

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

HEXFET POWER MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 155°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id	2.32V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	HEXFET®
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	International Rectifier
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk