ISL9N304AS3ST

Fairchild Semiconductor

Prodotto No:

ISL9N304AS3ST

Produttore:

Pacchetto:

TO-263AB

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

N-CHANNEL POWER MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4075 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	105 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package	TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	UltraFET®
Power Dissipation (Max)	145W (Ta)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	75A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk