IXTA1N170DHV

IXYS

Prodotto No:

IXTA1N170DHV

Produttore:

Pacchetto:

TO-263HV

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 1700V 1A TO263

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Depletion Mode
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3090 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16Ohm @ 500mA, 0V
Supplier Device Package	TO-263HV
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	1700 V
Series	Depletion
Power Dissipation (Max)	290W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXTA1