IXTA3N50D2

IXYS

Prodotto No:

IXTA3N50D2

Produttore:

Pacchetto:

TO-263AA

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 500V 3A TO263

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : Si prega di richiesta

Si prega di inviare RdO, risponderemo immediatamente.

Nome del contatto

E-mail

Nome della società

Paese

Quantità

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Depletion Mode
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1070 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Supplier Device Package	TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Series	Depletion
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Package	Tube
Base Product Number	IXTA3