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K4B4G1646E-BYK000

Samsung Semiconductor, Inc.

Prodotto No:

K4B4G1646E-BYK000

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Scheda tecnica:

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Descrizione:

DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL

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Informazioni sul prodotto

Info parametro

Guida per l'utente

DigiKey Programmable Not Verified
Clock Frequency 800 MHz
Operating Temperature 0°C ~ 95°C
Memory Interface Parallel
Memory Organization 256M x 16
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Memory Type Volatile
Series -
Memory Size 4Gbit
Package / Case 96-TFBGA
Voltage - Supply 1.35V
Mfr Samsung Semiconductor, Inc.
Package Tray
Memory Format DRAM