MCH5802-TL-E

onsemi

Prodotto No:

MCH5802-TL-E

Produttore:

Pacchetto:

5-MCPH

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

P-CHANNEL SILICON MOSFET SCHOTTK

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : Si prega di richiesta

Si prega di inviare RdO, risponderemo immediatamente.

Nome del contatto

E-mail

Nome della società

Paese

Quantità

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C
FET Feature	Schottky Diode (Body)
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	80 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.6 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	560mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	5-MCPH
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	800mW (Ta)
Package / Case	5-SMD, Flat Leads
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Package	Bulk