MSCSM170HRM233AG

Microchip Technology

Prodotto No:

MSCSM170HRM233AG

Produttore:

Pacchetto:

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

PM-MOSFET-SIC-SP3F

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : Si prega di richiesta

Si prega di inviare RdO, risponderemo immediatamente.

Nome del contatto

E-mail

Nome della società

Paese

Quantità

Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	Silicon Carbide (SiC)
Configuration	4 N-Channel (Three Level Inverter)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6600pF @ 1000V, 3020pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	356nC @ 20V, 232nC @ 20V
Mounting Type	Chassis Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22.5mOhm @ 60A, 20V, 31mOhm @ 40A, 20V
Supplier Device Package	-
Vgs(th) (Max) @ Id	3.2V @ 5mA, 2.8V @ 3mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
Series	-
Package / Case	Module
Technology	Silicon Carbide (SiC)
Power - Max	602W (Tc), 395W (Tc)
Mfr	Microchip Technology
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	124A (Tc), 89A (Tc)
Package	Bulk