NTBG022N120M3S

onsemi

Prodotto No:

NTBG022N120M3S

Produttore:

Pacchetto:

D2PAK-7

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : Si prega di richiesta

Si prega di inviare RdO, risponderemo immediatamente.

Nome del contatto

E-mail

Nome della società

Paese

Quantità

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3200 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 18 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 40A, 18V
Supplier Device Package	D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id	4.4V @ 20mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	234W (Tc)
Package / Case	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	58A (Tc)
Vgs (Max)	+22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	NTBG022