NTD30N02T4G

onsemi

Prodotto No:

NTD30N02T4G

Produttore:

Pacchetto:

DPAK

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

N-CHANNEL POWER MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package	DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	24 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	75W (Tj)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk