NTH4L080N120SC1

onsemi

Prodotto No:

NTH4L080N120SC1

Produttore:

Pacchetto:

TO-247-4L

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 430

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1670 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 20 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package	TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id	4.3V @ 5mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	170W (Tc)
Package / Case	TO-247-4
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	29A (Tc)
Vgs (Max)	+25V, -15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Package	Tube
Base Product Number	NTH4L080