NTMD6601NR2G

onsemi

Prodotto No:

NTMD6601NR2G

Produttore:

Pacchetto:

8-SOIC

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	215mOhm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package	8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Series	-
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	600mW
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.1A
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	NTMD66