NTMTS1D2N08H

onsemi

Prodotto No:

NTMTS1D2N08H

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8-DFNW (8.3x8.4)

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T8-80V IN PQFN88 FOR INDU

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10100 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	147 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package	8-DFNW (8.3x8.4)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 590µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	5W (Ta), 300W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	41A (Ta), 335A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	NTMTS1D