NVJD4152PT1G

onsemi

Prodotto No:

NVJD4152PT1G

Produttore:

Pacchetto:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

NVJD4152 - Dual P-Channel Trench

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Standard
Configuration	2 P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	155pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.2nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	260mOhm @ 880mA, 4.5V
Supplier Device Package	SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Series	Automotive, AEC-Q101
Package / Case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	272mW (Ta)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	880mA (Ta)
Package	Bulk