PHK04P02T,518

Nexperia USA Inc.

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PHK04P02T,518

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8-SO

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TRANSISTORS>100MHZ

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	528 pF @ 12.8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.2 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package	8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id	600mV @ 1mA (Typ)
Drain to Source Voltage (Vdss)	16 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	5W (Tc)
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.66A (Tc)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Package	Bulk