PJQ5606_R2_00001

Panjit International Inc.

Prodotto No:

PJQ5606_R2_00001

Produttore:

Pacchetto:

DFN5060B-8

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	N and P-Channel Complementary
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package	DFN5060B-8
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	-
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	1.7W (Ta), 21W (Tc)
Mfr	Panjit International Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7A (Ta), 25A (Tc), 6.1A (Ta), 22A (Tc)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PJQ5606