Casa / FET, MOSFET Arrays / PJT7002H_R1_00001
minImg

PJT7002H_R1_00001

Panjit International Inc.

Prodotto No:

PJT7002H_R1_00001

Pacchetto:

SOT-363

Batch:

-

Scheda tecnica:

pdf.png

Descrizione:

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Quantità:

Consegna:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

Pagamento:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

In magazzino : 2685

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

  • 1

    $0.228

    $0.228

  • 10

    $0.1558

    $1.558

  • 100

    $0.076

    $7.6

  • 500

    $0.063384

    $31.692

  • 1000

    $0.044042

    $44.042

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06

Informazioni sul prodotto

Info parametro

Guida per l'utente

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 300mA, 10V
Supplier Device Package SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Series -
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 350mW (Ta)
Mfr Panjit International Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA (Ta)
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number PJT7002