PMX800ENEZ

Nexperia USA Inc.

Prodotto No:

PMX800ENEZ

Produttore:

Pacchetto:

DFN0603-3 (SOT8013)

Batch:

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PMX800ENEZ

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	32 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1Ohm @ 400mA, 10V
Supplier Device Package	DFN0603-3 (SOT8013)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Package / Case	0201 (0603 Metric)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	500mA (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk