PMZB370UNE,315-NEX

Nexperia USA Inc.

Prodotto No:

PMZB370UNE,315-NEX

Produttore:

Pacchetto:

DFN1006B-3

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

EFFECT TRANSISTOR, 0.9A I(D), 30

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	78 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.16 nC @ 15 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	490mOhm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package	DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id	1.05V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Package / Case	3-XFDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	900mA (Ta)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Bulk