PSMN3R8-100BS,118

Nexperia USA Inc.

Prodotto No:

PSMN3R8-100BS,118

Produttore:

Pacchetto:

D2PAK

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	170 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package	D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	306W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PSMN3R8