R6009END3TL1

Rohm Semiconductor

Prodotto No:

R6009END3TL1

Produttore:

Pacchetto:

TO-252

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 9A TO252

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	535mOhm @ 2.8A, 10V
Supplier Device Package	TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	94W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	R6009