R6027YNX3C16

Rohm Semiconductor

Prodotto No:

R6027YNX3C16

Produttore:

Pacchetto:

TO-220AB

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

NCH 600V 27A, TO-220AB, POWER MO

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1670 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	135mOhm @ 7A, 12V
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id	6V @ 2mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	245W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	27A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V, 12V
Package	Tube