R8001CND3FRATL

Rohm Semiconductor

Prodotto No:

R8001CND3FRATL

Produttore:

Pacchetto:

TO-252

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 800V 1A TO252

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	60 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.2 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.7Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Series	Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max)	36W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	R8001