R8008ANJGTL

Rohm Semiconductor

Prodotto No:

R8008ANJGTL

Produttore:

Pacchetto:

TO-263S

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.03Ohm @ 4A, 10V
Supplier Device Package	TO-263S
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	195W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	R8008