RD3L07BBGTL1

Rohm Semiconductor

Prodotto No:

RD3L07BBGTL1

Produttore:

Pacchetto:

TO-252

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 70A, 10V
Supplier Device Package	TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	102W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	70A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RD3L07