RFH10N50

Harris Corporation

Prodotto No:

RFH10N50

Produttore:

Pacchetto:

TO-218 Isolated

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 302

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3000 pF @ 25 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package	TO-218 Isolated
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Package / Case	TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Harris Corporation
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk