Toshiba Semiconductor and Storage
Prodotto No:
RN1909FE(TE85L,F)
Produttore:
Pacchetto:
ES6
Batch:
-
Scheda tecnica:
-
Descrizione:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Quantità:
Consegna:

Pagamento:
Minimo: 1 Multipli: 1
Qty
Prezzo unitario
Prezzo Ext
1
$0.3325
$0.3325
10
$0.23085
$2.3085
100
$0.116375
$11.6375
500
$0.094981
$47.4905
1000
$0.070462
$70.462
2000
$0.05928
$118.56
Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

| Frequency - Transition | 250MHz |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Series | - |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Power - Max | 100mW |
| Mfr | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Base Product Number | RN1909 |