SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

Prodotto No:

SCT055HU65G3AG

Produttore:

Pacchetto:

HU3PAK

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 47

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	721 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 18 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	72mOhm @ 15A, 18V
Supplier Device Package	HU3PAK
Vgs(th) (Max) @ Id	4.2V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max)	185W (Tc)
Package / Case	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Mfr	STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Vgs (Max)	+22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SCT055