SCTWA60N120G2-4

STMicroelectronics

Prodotto No:

SCTWA60N120G2-4

Produttore:

Pacchetto:

TO-247-4

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 392

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-55°C ~ 200°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1969 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	94 nC @ 18 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 30A, 18V
Supplier Device Package	TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	388W (Tc)
Package / Case	TO-247-4
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Mfr	STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Vgs (Max)	+22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Package	Tube