SI1029X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Prodotto No:

SI1029X-T1-GE3

Produttore:

Pacchetto:

SC-89 (SOT-563F)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N/P-CH 60V SC89-6

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	30pF @ 25V, 23pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Series	TrenchFET®
Package / Case	SOT-563, SOT-666
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	250mW
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	305mA, 190mA
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI1029