SI2393DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Prodotto No:

SI2393DS-T1-GE3

Produttore:

Pacchetto:

SOT-23-3 (TO-236)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	980 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25.2 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22.7mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max)	1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.1A (Ta), 7.5A (Tc)
Vgs (Max)	+16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI2393