SI3430DV-T1-E3

Vishay Siliconix

Prodotto No:

SI3430DV-T1-E3

Produttore:

Pacchetto:

6-TSOP

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.6 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170mOhm @ 2.4A, 10V
Supplier Device Package	6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA (Min)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.14W (Ta)
Package / Case	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.8A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI3430