SI4425BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Prodotto No:

SI4425BDY-T1-GE3

Produttore:

Pacchetto:

8-SOIC

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 2980

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 11.4A, 10V
Supplier Device Package	8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	1.5W (Ta)
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.8A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI4425