SI8812DB-T2-E1

Vishay Siliconix

Prodotto No:

SI8812DB-T2-E1

Produttore:

Pacchetto:

4-Microfoot

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 8 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package	4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	500mW (Ta)
Package / Case	4-UFBGA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.3A (Ta)
Vgs (Max)	±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI8812