SIAA02DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Prodotto No:

SIAA02DJ-T1-GE3

Produttore:

Pacchetto:

PowerPAK® SC-70-6

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® SC-70-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	22A (Ta), 52A (Tc)
Vgs (Max)	+12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIAA02