SIE822DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

Prodotto No:

SIE822DF-T1-GE3

Produttore:

Pacchetto:

10-PolarPAK® (S)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	78 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 18.3A, 10V
Supplier Device Package	10-PolarPAK® (S)
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	5.2W (Ta), 104W (Tc)
Package / Case	10-PolarPAK® (S)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIE822