SIGC109T120R3

Infineon Technologies

Prodotto No:

SIGC109T120R3

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Test Condition	-
Input Type	Standard
Switching Energy	-
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V
Td (on/off) @ 25°C	-
Supplier Device Package	Die
Current - Collector Pulsed (Icm)	300 A
Series	-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 100A
Package / Case	Die
Mfr	Infineon Technologies
Package	Bulk
IGBT Type	Trench Field Stop
Base Product Number	SIGC109