SIHJ10N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

Prodotto No:

SIHJ10N60E-T1-GE3

Produttore:

Pacchetto:

PowerPAK® SO-8

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	784 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	E
Power Dissipation (Max)	89W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Cut Tape (CT)
Base Product Number	SIHJ10